|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yin, ZG; Zhang, XW; Fu, Z; Yang, XL; Wu, JL; Wu, GS; Gong, L; Chu, PK
 Adobe PDF(342Kb) |  收藏 | 浏览/下载：749/214 | 提交时间：2013/03/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Peng YC; Fu GS; Yu W; Li SQ; Wang YL; Peng, YC, Hebei Univ, Coll Elect & Informat Engn, Baoding 071002, Peoples R China.
Adobe PDF(636Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1039/351 | 提交时间：2010/03/09 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Peng YC; Zhao XW; Fu GS; Peng YC,Hebei Univ,Coll Elect & Informat Engn,Baoding 071002,Peoples R China.
Adobe PDF(299Kb) | 收藏 | 浏览/下载：866/255 | 提交时间：2010/08/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 金光生; 艾合买提·阿不力孜; 李树深; 牛智川 ; 杨富华; 封松林
Adobe PDF(281Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1064/282 | 提交时间：2010/11/23 |
| 基于差分方法的MEMS器件信号检测电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010564525.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 韩国威; 宁瑾; 孙国胜; 赵永梅; 杨富华
Adobe PDF(387Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1257/100 | 提交时间：2011/08/31 |
| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人: 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华
Adobe PDF(428Kb) | 收藏 | 浏览/下载：929/98 | 提交时间：2014/10/29 |
| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
Adobe PDF(349Kb) | 收藏 | 浏览/下载：779/0 | 提交时间：2016/08/30 |
| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
Adobe PDF(1167Kb) | 收藏 | 浏览/下载：892/0 | 提交时间：2016/09/29 |
| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
Adobe PDF(568Kb) | 收藏 | 浏览/下载：672/3 | 提交时间：2016/09/28 |
