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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [7]
集成光电子学国家重点... [1]
作者
江德生 [3]
Yang [1]
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发表日期
2010 [1]
1998 [2]
1997 [2]
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英语 [5]
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COMPOUND S... [1]
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期刊论文
作者:
Jahn U
;
Brandt O
;
Luna E
;
Sun X
;
Wang H
;
Jiang DS
;
Bian LF
;
Yang
;
H
;
Jahn, U, Paul Drude Inst Festkorperelekt, Hausvogteipl 5-7, D-10117 Berlin, Germany. 电子邮箱地址: ujahn@pdi-berlin.de
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提交时间:2010/04/28
Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate
会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1997, 156, SAN DIEGO, CALIFORNIA, SEP 08-11, 1997
作者:
Jiang DS
;
Ramsteiner M
;
Brandt O
;
Ploog KH
;
Tews H
;
Graber A
;
Averbeck R
;
Riechert H
;
Jiang DS Paul Drude Inst Solid State Elect D-10117 Berlin Germany.
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提交时间:2010/11/15
Shallow Donors
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jiang DS
;
Ramsteiner M
;
Brandt O
;
Ploog KH
;
Tews H
;
Graber A
;
Averbeck R
;
Riechert H
;
Jiang DS,Paul Drude Inst Solid State Elect,D-10117 Berlin,Germany.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Trampert A
;
Brandt O
;
Yang H
;
Yang B
;
Ploog KH
;
Trampert A,Paul Drude Inst Festkorperelekt,Hausvogteipl 5-7,D-10117 Berlin,Germany.
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提交时间:2010/08/12
Heteroepitaxy of cubic GaN: influence of interface structure
会议论文
MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1997, (157), OXFORD, ENGLAND, APR 07-10, 1997
作者:
Trampert A
;
Brandt O
;
Yang H
;
Yang B
;
Ploog KH
;
Trampert A Paul Drude Inst Festkorperelekt Hausvogteipl 5-7 D-10117 Berlin Germany.
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提交时间:2010/11/15
Molecular-beam Epitaxy
Gan/gaas(001)
Growth