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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
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电磁阀 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  焦春美;  赵风瑷
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原位非接触探测MOCVD石墨温度分布的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou YF;  Pan ZL;  Liu Y;  Ai F;  Chen NF;  Huang YY;  He W;  Tang LA;  Wang JC;  Zhou, YF, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Ceram, Shanghai 200050, Peoples R China. E-mail: yfzhou@sunm.shcnc.ac.cn
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InP 基半导体量子点、量子线的分子束外延生长、表征及生长机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  赵凤瑷
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱天伟;  徐波;  何军;  赵凤瑷;  张春玲;  谢二庆;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵凤瑷;  张春玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵凤瑷;  张春玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王文青;  宋淑芳;  艾家和;  韩晓英;  赵金茹;  许宏飞;  史利军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  艾彬;  宋淑芳;  季秉厚;  宋进华
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