原位非接触探测MOCVD石墨温度分布的方法
刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美
2006-10-11
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2005-04-07
语种中文
申请号200510063801
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3561
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
刘祥林,赵凤瑷,焦春美. 原位非接触探测MOCVD石墨温度分布的方法[P]. 2006-10-11.
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