SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共5条,第1-5条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye Zhang ;   Ya-nan Chen ;   Ya-li Liu ;   Fang-bin Fu ;   Wan-cheng Yu ;   Peng Jin ;   Zhan-guo Wang
Adobe PDF(1000Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:92/0  |  提交时间:2019/11/15
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng Liu, Zhang Feng, Liu Sheng-Bei, Dong Lin, Liu Xing-Fang, Fan Zhong-Chao, Liu Bin, Yan Guo-Guo, Wang Lei, Zhao Wan-Shun, Sun Guo-Sheng, He Zhi, Yang Fu-Hua
Adobe PDF(938Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:427/91  |  提交时间:2014/03/26
一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:779/0  |  提交时间:2016/08/30
一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(1167Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:892/0  |  提交时间:2016/09/29
一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:672/3  |  提交时间:2016/09/28