×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [5]
作者
文献类型
专利 [3]
期刊论文 [2]
发表日期
2018 [1]
2013 [1]
语种
英语 [1]
出处
Carbon [1]
Chinese Ph... [1]
资助项目
收录类别
SCI [2]
资助机构
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ye Zhang
;
Ya-nan Chen
;
Ya-li Liu
;
Fang-bin Fu
;
Wan-cheng Yu
;
Peng Jin
;
Zhan-guo Wang
Adobe PDF(1000Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:92/0
  |  
提交时间:2019/11/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zheng Liu, Zhang Feng, Liu Sheng-Bei, Dong Lin, Liu Xing-Fang, Fan Zhong-Chao, Liu Bin, Yan Guo-Guo, Wang Lei, Zhao Wan-Shun, Sun Guo-Sheng, He Zhi, Yang Fu-Hua
Adobe PDF(938Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:427/91
  |  
提交时间:2014/03/26
一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
Adobe PDF(349Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:779/0
  |  
提交时间:2016/08/30
一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
杨香
;
刘兴昉
;
张峰
;
王雷
;
田丽欣
;
刘敏
;
申占伟
;
赵万顺
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
Adobe PDF(1167Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:892/0
  |  
提交时间:2016/09/29
一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
Adobe PDF(568Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:672/3
  |  
提交时间:2016/09/28