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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [2]
半导体超晶格国家重点... [2]
作者
江德生 [1]
徐应强 [1]
韩勤 [1]
牛智川 [1]
文献类型
专利 [3]
期刊论文 [1]
发表日期
2005 [2]
语种
中文 [3]
出处
物理学报 [1]
资助项目
收录类别
CSCD [1]
资助机构
国家自然科学基金,8... [1]
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高击穿电压的高电子迁移率晶体管
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
徐晓华
;
倪海桥
;
牛智川
;
贺正宏
;
王建林
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
徐晓华
;
牛智川
;
倪海桥
;
徐应强
;
张纬
;
贺正宏
;
韩勤
;
吴荣汉
;
江德生
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浏览/下载:901/224
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提交时间:2010/11/23
在衬底上生长异变缓冲层的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:
贺继方
;
尚向军
;
倪海桥
;
王海莉
;
李密峰
;
朱岩
;
王莉娟
;
喻颖
;
贺正宏
;
徐应强
;
牛智川
Adobe PDF(309Kb)
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浏览/下载:1631/245
  |  
提交时间:2012/08/29
制备微透镜阵列的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人:
査国伟
;
喻颖
;
李密峰
;
王莉娟
;
倪海桥
;
贺正宏
;
牛智川
Adobe PDF(1435Kb)
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提交时间:2014/10/24