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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体材料科学... [4]
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专利 [3]
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2015 [1]
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学位论文
作者:
王小耶
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浏览/下载:470/24
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提交时间:2015/05/27
硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
杨涛
;
杜文娜
;
杨晓光
;
王小耶
;
季祥海
;
王占国
Adobe PDF(878Kb)
  |  
收藏
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浏览/下载:779/4
  |  
提交时间:2016/09/12
直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:
杜文娜
;
杨晓光
;
王小耶
;
杨涛
;
王占国
Adobe PDF(867Kb)
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浏览/下载:951/203
  |  
提交时间:2014/11/24
硅衬底上生长纳米线的衬底处理方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-14
发明人:
杨涛
;
王小耶
Adobe PDF(1444Kb)
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浏览/下载:847/54
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提交时间:2014/11/24