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中国科学院半导体研究所机构知识库
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未钝化的中波InAs/GaSb二类超晶格红外光电探测器暗 电流机制的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:
李琼
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提交时间:2014/06/05
Inas/gasb二类超晶格
红外探测器
暗电流
中波
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo, Xiaolu
;
Ma, Wenquan
;
Huang, Jianliang
;
Zhang, Yanhua
;
Wei, Yang
;
Cui, Kai
;
Cao, Yulian
;
Li, Qiong
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提交时间:2013/10/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui, Kai
;
Ma, Wenquan
;
Zhang, Yanhua
;
Huang, Jianliang
;
Wei, Yang
;
Cao, Yulian
;
Guo, Xiaolu
;
Li, Qiong
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提交时间:2013/08/27
近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:
李琼
;
马文全
;
张艳华
;
黄建亮
Adobe PDF(617Kb)
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浏览/下载:983/96
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提交时间:2014/11/24