SEMI OpenIR  > 纳米光电子实验室
近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法
李琼; 马文全; 张艳华; 黄建亮
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-07-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2014-03-28
申请号CN201410121021.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25732
专题纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
李琼,马文全,张艳华,等. 近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法.
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