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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科... [10]
作者
唐爱伟 [3]
文献类型
期刊论文 [7]
专利 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2012 [1]
2011 [4]
2010 [3]
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期刊论文
作者:
Yang, Jihua
;
Qian, Lei
;
Zhou, Renjia
;
Zheng, Ying
;
Tang, Aiwei
;
Holloway, Paul H
;
Xue, Jiangeng
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浏览/下载:711/186
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提交时间:2013/05/07
无机纳米材料的制备、自组装及光电性能研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
唐爱伟
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浏览/下载:1634/54
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提交时间:2011/05/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang JM
;
Qu SC
;
Zhang LS
;
Tang AW
;
Wang ZG
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浏览/下载:1728/554
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提交时间:2011/07/07
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Qian, Lei
;
Yang, Jihua
;
Zhou, Renjia
;
Tang, Aiwei
;
Zheng, Ying
;
Tseng, Teng-Kuan
;
Bera, Debasis
;
Xue, Jiangeng
;
Holloway, Paul. H.
;
Xue, J.(jxue@mse.ufl.edu)
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tang AW (Tang Aiwei)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Teng F (Teng Feng)
;
Hou YB (Hou Yanbing)
;
Wang YS (Wang Yongsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:1165/115
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提交时间:2012/02/22
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tang AW (Tang Aiwei)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Hou YB (Hou Yanbing)
;
Teng F (Teng Feng)
;
Tan HR (Tan Hairen)
;
Liu J (Liu Jie)
;
Zhang XW (Zhang Xingwang)
;
Wang YS (Wang Yongsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Tang, AW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
;
fteng@bjtu.edu.cn
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提交时间:2010/12/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tang AW (Tang Aiwei)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Li K (Li Kai)
;
Hou YB (Hou Yanbing)
;
Teng F (Teng Feng)
;
Cao J (Cao Jie)
;
Wang YS (Wang Yongsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Qu, SC, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
;
fteng@bjtu.edu.cn
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浏览/下载:1888/530
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提交时间:2010/07/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tang AW (Tang Aiwei)
;
Teng F (Teng Feng)
;
Hou YB (Hou Yanbing)
;
Wang YS (Wang Yongsheng)
;
Tan FR (Tan Furui)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Teng, F, Beijing JiaoTong Univ, Key Lab Luminescence & Opt Informat, Minist Educ, Inst Optoelect Technol, Beijing 100044, Peoples R China. 电子邮箱地址: fteng@bjtu.edu.cn
;
ybhou@bjtu.edu.cn
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提交时间:2010/05/07
单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010121621.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
唐爱伟
;
曲胜春
;
王占国
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浏览/下载:1706/281
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提交时间:2011/08/31
广谱高吸收的太阳能电池结构及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:
刘孔
;
曲胜春
;
谭付瑞
;
唐爱伟
;
金兰
;
张君梦
;
徐文清
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提交时间:2014/10/31