|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 集成微波光子信号处理与产生 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 唐健
 Adobe PDF(4846Kb) |  收藏 | 浏览/下载：851/54 | 提交时间：2019/11/12 |
| 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人: 王晓亮; 唐 健; 肖红领; 王翠梅; 冉学军; 胡国新; 李晋敏
Adobe PDF(486Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1618/220 | 提交时间：2010/03/19 |
| 高频大功率GaN基HEMT结构材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 唐健
Adobe PDF(2639Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1270/98 | 提交时间：2009/04/13 |
| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
Adobe PDF(986Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1757/189 | 提交时间：2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma ZY (Ma Zhi-Yong); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Hu GX (Hu Guo-Xin); Ran JX (Ran Jun-Xue); Xiao HL (Xiao Hong-Ling); Luo WJ (Luo Wei-Jun); Tang J (Tang Jian); Li JP (Li Jian-Ping); Li JM (Li Jin-Min); Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(547Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1228/386 | 提交时间：2010/03/29 |
| 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王晓亮; 张明兰; 肖红领; 王翠梅; 唐健; 冯春; 姜丽娟
Adobe PDF(404Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1688/283 | 提交时间：2011/08/31 |
| 压电陶瓷光电链路微波信号真延时调控装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 李明; 唐健; 邓晔; 祝宁华
Adobe PDF(256Kb) | 收藏 | 浏览/下载：662/8 | 提交时间：2016/09/28 |
