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生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
发明人:  占 荣;  惠 峰;  赵有文
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大直径SI-GaAs 单晶的VGF 生长技术和材料性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  占荣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  占荣;  赵有文;  于会永;  高永亮;  惠峰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于会永;  赵有文;  占荣;  高永亮
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