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| 降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12 发明人: 范亚明 ; 张兴旺 ; 谭海仁 ; 陈诺夫
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| 一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12 发明人: 张兴旺 ; 蔡培锋; 游经碧 ; 范亚明 ; 高 云; 陈诺夫
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| 一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996 发明人: 张兴旺 ; 范亚明 ; 陈诺夫
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| 一种增强氧化锌薄膜蓝光发射的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996 发明人: 张兴旺 ; 游经碧 ; 范亚明 ; 屈 盛; 陈诺夫
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Fan YM ; Zhang XW ; You JB ; Tan HR ; Chen NF; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: You JB ; Zhang XW ; Fan YM ; Yin ZG ; Cai F; Chen NF; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci A35 Qinghua Donglu Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Fan YM ; Zhang XW ; You JB ; Ying J; Tan HR ; Chen NF; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: You JB ; Zhang XW ; Fan YM ; Yin ZG ; Cai PF; Chen NF; Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Qu S; Zhang XW ; Gao Y; You JB ; Fan YM ; Yin ZG ; Chen NF; Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: You JB ; Zhang XW ; Fan YM ; Qu S; Chen NF; Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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