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| 一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998 发明人: 李文兵; 韩 勤; 秦 龙; 杨晓红 ; 倪海乔; 杜 云; 朱 彬; 鞠研玲
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| 一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996 发明人: 闫发旺; 高海永; 张 扬; 张会肖; 李晋闽; 曾一平; 王国宏
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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张杨; 刘剑 ; 李艳 ; 杨富华
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| 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高永海; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhu NH; Li W; Wang LX ; Chen SF; Ke JH ; Zhang YL; Wen JM; Liu Y; Wang X; Yan HQ; Xie L; Zhu NH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoclect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn; liwei05@semi.ac.cn; lxwang@semi.ac.cn; sfchen@semi.ac.cn; jhke@semi.ac.cn; ylzhang@semi.ac.cn; jmwen@semi.ac.cn; yliu@semi.ac.cn; wxin@semi.ac.cn; Xiel@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Sun LL; Yan FW; Zhang HX; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: lilisuny@sohu.com
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liu Y; Li Y ; Fan ZC; Xing B; Yu YD; Yu JZ; Liu Y Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: liuyan@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zhang HX; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Sun LL Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lilisun@semi.ac.cn
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| PECVD和ICP刻蚀技术及应用 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 李艳![](/image/person.jpg)
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