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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244159A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑怀文
;
张逸韵
;
吴奎
;
杨华
;
李璟
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提交时间:2012/09/09
一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
李志聪
;
姚然
;
王兵
;
梁萌
;
李璟
;
王国宏
;
李晋闽
Adobe PDF(992Kb)
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浏览/下载:2067/302
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提交时间:2012/09/09
一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
李志聪
;
姚然
;
王兵
;
梁萌
;
李鸿渐
;
李盼盼
;
李璟
;
王国宏
;
李晋闽
Adobe PDF(1092Kb)
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浏览/下载:1715/306
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提交时间:2012/09/09
具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
李璟
;
王国宏
;
魏同波
;
张杨
;
孔庆峰
Adobe PDF(301Kb)
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提交时间:2012/09/09
一种量子级联正多边形微腔激光器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081990.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:
李敬
;
黄永箴
;
杨跃德
Adobe PDF(519Kb)
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提交时间:2011/08/30