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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, YF;  Xie, J;  Zhao, H;  Luo, W;  Yang, JL;  An, J;  Yang, FH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, J.J;  Zhao, C.W;  Xing, Y.M;  Hou, X.H;  Fan, Z.C;  Jin, Y.J;  Wang, Y
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基于差分方法的MEMS器件信号检测电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010564525.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  韩国威;  宁瑾;  孙国胜;  赵永梅;  杨富华
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一种微机械谐振器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人:  杨晋玲;  赵晖;  骆伟;  袁泉;  杨富华
Adobe PDF(1696Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:668/41  |  提交时间:2014/11/17
一种频率可切换的微机械谐振器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人:  赵晖;  杨晋玲;  杨富华
Adobe PDF(1773Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:489/41  |  提交时间:2014/10/31
频率可切换的微机械谐振器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人:  赵晖;  杨晋玲;  骆伟;  杨富华
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MEMS振荡器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-31
发明人:  赵晖;  杨晋玲;  骆伟;  杨富华
Adobe PDF(422Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:777/85  |  提交时间:2014/11/17
频率可调的MEMS谐振器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-02
发明人:  骆伟;  赵晖;  袁泉;  杨晋玲;  杨富华
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沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人:  何志;  张峰;  樊中朝;  赵咏梅;  孙国胜;  季安;  杨富华
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具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:666/1  |  提交时间:2016/08/30