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高压大功率碳化硅IGBT器件研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  温正欣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. Rong;  X. Q. Wang;  G. Chen;  X. T. Zheng;  P. Wang;  F. J. Xu;  Z. X. Qin;  N. Tang;  Y. H. Chen;  L. W. Sang;  M. Sumiya;  W. K. Ge;  B. Shen
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng, CC;  Xu, SJ;  Ning, JQ;  Bao, W;  Wang, JF;  Gao, J;  Liu, JM;  Zhu, JH;  Liu, XL
Adobe PDF(562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:820/262  |  提交时间:2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen W (Chen Wei);  Pang DW (Pang Dai-Wen);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Fang Y (Fang Yu);  Zheng HR (Zheng Hairong)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH (Zheng X. H.);  Huang AP (Huang A. P.);  Xiao ZS (Xiao Z. S.);  Yang ZC (Yang Z. C.);  Wang M (Wang M.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Wang WW (Wang W. W.);  Chu PK (Chu Paul K.);  Huang, AP, BeihangUniv, DeptPhys, Beijing 100191, Peoples R China. 电子邮箱地址: aphuang@buaa.edu.cn
Adobe PDF(360Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1338/526  |  提交时间:2010/11/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang ZC (Yang Z. C.);  Huang AP (Huang A. P.);  Zheng XH (Zheng X. H.);  Xiao ZS (Xiao Z. S.);  Liu XY (Liu X. Y.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Chu PK (Chu Paul K.);  Wang WW (Wang W. W.);  Yang, ZC, BeihangUniv, DeptPhys, Beijing 100191, Peoples R China. 电子邮箱地址: aphuang@buaa.edu.cn
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利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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基于磁光光子晶体的4×4二进制发生器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人:  郑婉华;  江斌;  王宇飞;  张冶金;  冯志刚
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
Adobe PDF(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1317/136  |  提交时间:2014/11/24