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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [7]
作者
王科范 [2]
杨涛 [2]
杨晓光 [2]
文献类型
期刊论文 [4]
专利 [3]
发表日期
2011 [2]
2010 [2]
语种
英语 [4]
出处
APPLIED PH... [1]
CHINESE PH... [1]
IEEE ELECT... [1]
SEMICONDUC... [1]
资助项目
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SCI [4]
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Chinese Ac... [2]
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知识图谱
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang XG
;
Yang T
;
Wang KF
;
Ji HM
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Wang ZG
;
Yang, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1323/386
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang XG
;
Yang T
;
Wang KF
;
Gu YX
;
Ji HM
;
Xu PF
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Wang XD
;
Chen YL
;
Wang ZG
;
Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1153/352
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zheng XH (Zheng X. H.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
;
Xiao ZS (Xiao Z. S.)
;
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Wang M (Wang M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
;
Huang, AP, BeihangUniv, DeptPhys, Beijing 100191, Peoples R China. 电子邮箱地址: aphuang@buaa.edu.cn
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浏览/下载:1338/526
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提交时间:2010/11/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
;
Zheng XH (Zheng X. H.)
;
Xiao ZS (Xiao Z. S.)
;
Liu XY (Liu X. Y.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
;
Yang, ZC, BeihangUniv, DeptPhys, Beijing 100191, Peoples R China. 电子邮箱地址: aphuang@buaa.edu.cn
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浏览/下载:1082/452
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提交时间:2010/11/14
一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:737/0
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提交时间:2016/08/30
一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
杨香
;
刘兴昉
;
张峰
;
王雷
;
田丽欣
;
刘敏
;
申占伟
;
赵万顺
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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提交时间:2016/09/29
一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:631/3
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提交时间:2016/09/28