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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 谭晓宇; 杨少延; 李辉杰 Adobe PDF(3684Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:183/3  |  提交时间:2018/05/23 |
| 大功率1060nm半导体激光器与THz 单片集成芯片 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2015 作者: 谭少阳 Adobe PDF(42279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1572/113  |  提交时间:2015/12/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Jia, C.H.; Chen, Y.H.; Zhang, B.; Liu, X.L.; Yang, S.Y.; Zhang, W.F.; Wang, Z.G.; Chen, Y.H.(yhchen@red.semi.ac.cn) Adobe PDF(512Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:914/310  |  提交时间:2012/06/14 |
| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1524/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1423/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王振华; 刘祥林; 杨少延; 杨安丽 Adobe PDF(348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1443/223  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1423/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1118/184  |  提交时间:2012/09/09 |
| 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 桑玲; 王俊; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(288Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1670/250  |  提交时间:2012/09/09 |
| 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11 发明人: 冯玉霞; 杨少延; 魏鸿源; 焦春美; 孔苏苏 Adobe PDF(1519Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:735/69  |  提交时间:2014/11/24 |