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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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提交时间:2019/11/15
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期刊论文
作者:
Yun-Yun Ding
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Feng Gao
;
Hui-Hong Yuan
;
Zun-Ren Lv
;
Tao Yang
;
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提交时间:2019/11/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
HUI-HONG YUAN
;
FENG GAO
;
TAO YANG
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提交时间:2018/05/30
增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
尹志岗
;
张曙光
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张兴旺
;
董敬敬
;
高红丽
;
施辉东
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提交时间:2012/09/09
增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张兴旺
;
张曙光
;
尹志岗
;
董敬敬
;
高红丽
;
施辉东
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提交时间:2012/09/09