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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Y M Wang ;   J L Yu ;   X L Zeng ;   Y H Chen ;   Y Liu ;   S Y Cheng ;   Y F Lai ;   C M Yin ;   K He 7 ;   Q K Xue
Adobe PDF(1453Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:45/0  |  提交时间:2020/07/30
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan HR (Tan H. R.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Tan FR (Tan F. R.);  Gao HL (Gao H. L.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  Bai YM (Bai Y. M.);  Zhang XL (Zhang X. L.);  Qu SC (Qu S. C.)
Adobe PDF(674Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1187/350  |  提交时间:2012/02/22
无权访问的条目 期刊论文
作者:  屈盛;  张兴旺;  毛和璜;  余银祥;  韩增华;  汤叶华;  周春兰;  王文静
Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1067/331  |  提交时间:2012/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Q (Zhang Q.);  Wang XQ (Wang X. Q.);  Yin CM (Yin C. M.);  Xu FJ (Xu F. J.);  Tang N (Tang N.);  Shen B (Shen B.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Chang K (Chang K.);  Ge WK (Ge W. K.);  Ishitani Y (Ishitani Y.);  Yoshikawa A (Yoshikawa A.)
Adobe PDF(394Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:979/258  |  提交时间:2010/09/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄添懋;  陈诺夫;  张兴旺;  白一鸣;  尹志岗;  施辉伟;  张汉;  汪宇;  王彦硕;  杨晓丽
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在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄添懋;  陈诺夫;  施辉伟;  尹志岗;  吴金良;  王彦硕;  汪宇;  张汉
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基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人:  康贺;  王晓亮;  肖红领;  王翠梅;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  崔磊
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氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:555/0  |  提交时间:2016/09/28
一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  王翠梅;  李百泉
Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:562/2  |  提交时间:2016/09/28
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
Adobe PDF(420Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:671/3  |  提交时间:2016/09/28