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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Li, Z; Kang, JJ; Wang, BW; Li, HJ; Weng, YH; Lee, YC; Liu, ZQ; Yi, XY; Feng, ZC; Wang, GH
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang B; Li ZC; Yao R; Liang M; Yan FW; Wang GH; Wang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lighting R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. wangbing@semi.ac.cn
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| 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 黄亚军; 樊中朝; 刘志强 ; 伊晓燕 ; 季安; 王军喜
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| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽
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| GaN基发光二极管的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30 发明人: 黄亚军; 王莉; 樊中朝; 刘志强; 伊晓燕
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| 蓝宝石图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24 发明人: 段瑞飞; 季安; 伊晓燕; 王莉; 樊中朝; 郭金霞; 潘岭峰; 黄亚军; 赵冀; 李镇
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| 半导体发光器件或模组在线多功能测试系统及方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23 发明人: 赵丽霞; 周子超; 杨华; 王军喜; 李晋闽
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| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 氮化物LED外延结构的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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