SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法
梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-07-04
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2012-03-21
申请号CN201210075703.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25380
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
梁萌,李鸿渐,姚然,等. 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法.
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