|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang B; Li ZC; Yao R; Liang M; Yan FW; Wang GH; Wang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lighting R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. wangbing@semi.ac.cn
 Adobe PDF(761Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1554/374 | 提交时间：2011/07/05 |
| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(458Kb) | 收藏 | 浏览/下载：806/100 | 提交时间：2014/10/31 |
| 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(393Kb) | 收藏 | 浏览/下载：872/115 | 提交时间：2014/10/31 |
| 氮化物LED外延结构的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(290Kb) | 收藏 | 浏览/下载：787/114 | 提交时间：2014/10/31 |
| 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15
发明人: 李盼盼; 李鸿渐; 张逸韵; 李志聪; 梁萌; 李璟; 王国宏
Adobe PDF(565Kb) | 收藏 | 浏览/下载：707/75 | 提交时间：2014/10/29 |
