SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共21条,第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bing Wang;  Yun Zhao;  Xiao-Yan Yi;  Guo-Hong Wang;  Zhi-Qiang Liu;  Rui-Rei Duan;  Peng Huang;  Jun-Xi Wang;  Jin-Min Li
Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:164/4  |  提交时间:2017/03/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bing Wang;  Yun Zhao;  Xiao-Yan Yi;  Guo-Hong Wang;  Zhi-Qiang Liu;  Rui-Rei Duan;  Peng Huang;  Jun-Xi Wang;  Jin-Min Li
Adobe PDF(745Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:301/6  |  提交时间:2016/04/15
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王兵;  李志聪;  姚然;  梁萌;  闫发旺;  王国宏
Adobe PDF(761Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1410/194  |  提交时间:2011/08/16
一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李璟;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1971/302  |  提交时间:2012/09/09
一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王兵;  李志聪;  王国宏;  闫发旺;  姚然;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1494/259  |  提交时间:2011/08/31
一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李鸿渐;  李盼盼;  李璟;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1627/306  |  提交时间:2012/09/09
倒装高压发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人:  郭金霞;  田婷;  赵勇兵;  刘志强;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(1065Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:823/67  |  提交时间:2014/11/24
一种基于高压线性恒流电源的高压LED模组 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-11
发明人:  赵勇兵;  田婷;  詹腾;  郭金霞;  杨华;  伊晓燕;  李璟;  王国宏
Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1066/129  |  提交时间:2014/11/24
一种交流发光二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人:  田婷;  赵勇兵;  詹腾;  郭金霞;  伊晓燕;  刘志强;  李璟;  王国宏
Adobe PDF(1111Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:639/61  |  提交时间:2014/11/17
高压发光二极管芯片及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-03
发明人:  郭金霞;  闫建昌;  伊晓燕;  田婷;  詹腾;  赵勇兵;  宋昌斌;  王军喜
Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1023/76  |  提交时间:2014/12/25