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| 倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人: 尹小杰; 王 玥; 吴远大; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lu J; Xu PF; Zhu YG; Meng HJ; Chen L ; Wang WZ; Zhang XH; Zhao JH; Pan GQ; Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jhzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jiao HJ; Li F; Wang SK; Li XQ; Jiao HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xqli@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li F; Jiao HJ; Wang H; Luo JY; Li XQ; Li F Chinese Acad Sci State Key Lab Superlattices & Microstruct Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: fengli@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李俊一; 安俊明; 吴远大; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴远大; 安俊明; 李建光; 王玥; 尹小杰; 张家顺; 王红杰; 胡雄伟
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| 紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王鵫; 吴远大; 李建光; 王红杰; 安俊明; 胡雄伟
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| 混合集成单纤三向器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 胡雄伟; 安俊明; 吴远大; 李建光; 王红杰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang, Y; Wu, YD; Li, JG; Wang, HJ; Hu, XW; Wang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wy1022@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lu J; Bi JF; Wang WZ; Gan HD; Meng HJ; Deng JJ; Zheng HZ; Zhao JH; Zhao JH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jhzhao@red.semi.ac.cn
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