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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li MC;  Qiu YX;  Liu GJ;  Wang YT;  Zhang BS;  Zhao LC;  Li MC Harbin Inst Technol Sch Mat Sci & Engn POB 405 Harbin 150001 Peoples R China. E-mail Address: mcli@hit.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qiu, YX;  Li, MC;  Wang, YT;  Zhang, BS;  Wang, Y;  Liu, GJ;  Zhao, LC;  Qiu, YX, Harbin Inst Technol, Sch Mat Sci & Engn, Harbin 150001, Peoples R China. 电子邮箱地址: mcli@hit.edu.cn
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对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  姜磊;  白云霞;  王莉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin G;  Sun, GS;  Li JM;  Zhang YX;  Lei W;  Zhao WS;  Zeng YP;  Xin, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gaoxin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王建林;  刘忠立;  王良臣;  曾一平;  杨富华;  白云霞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高欣;  孙国胜;  李晋闽;  赵万顺;  王雷;  张永兴;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bian SB;  Li GR;  Yan T;  Bing H;  Li YX;  Yang FH;  Zheng HZ;  Bian, SB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, L;  Zheng, HZ;  Tan, PH;  Zhou, X;  Ji, Y;  Yang, FH;  Li, GR;  Zeng, YX;  Zhu, L, Sichuan Univ, Coll Phys Sci & Technol, Chengdu 610064, Peoples R China. 电子邮箱地址: zl_pin@sohu.com
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Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Sun, GS;  Ning, J;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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4h-sic  Lpcvd Homoepitaxial Growth  Thermal Oxidization  Mos Structures  Hot-wall Cvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, GS;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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