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| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙 Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1257/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东 Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1400/237  |  提交时间:2009/06/11 |
| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙 Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1158/166  |  提交时间:2009/06/11 |
| 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 姜磊; 白云霞; 王莉 Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1425/204  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Ma L (Ma Long); Huang YL (Huang Ying-Long); Zhang Y (Zhang Yang); Yang FH (Yang Fu-Hua); Wang LC (Wang Liang-Chen); Ma, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: malong@semi.ac.cn Adobe PDF(407Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1031/325  |  提交时间:2010/04/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Ma L (Ma Long); Huang YL (Huang Ying-Long); Zhang Y (Zhang Yang); Wang LC (Wang Liang-Chen); Yang FH (Yang Fu-Hua); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Ma, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrat Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: malong@semi.ac.cn Adobe PDF(250Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:973/282  |  提交时间:2010/04/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 马龙; 王良臣; 黄应龙; 杨富华 Adobe PDF(395Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:864/356  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 马龙; 杨富华; 王良臣; 余洪敏; 黄应龙 Adobe PDF(2512Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:835/257  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张富强; 陈诺夫; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英 Adobe PDF(850Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1040/260  |  提交时间:2010/11/23 |
| 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨君玲; 陈诺夫; 何家宏; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英; 刘志凯; 杨少延; 柴春林 Adobe PDF(246Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1369/185  |  提交时间:2009/06/11 |