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半导体低维结构中的自旋轨道耦合作用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  李超
Adobe PDF(5559Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：984/29  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding K (Ding, K.);  Zeng YP (Zeng, Y. P.);  Wei XC (Wei, X. C.);  Li ZC (Li, Z. C.);  Wang JX (Wang, J. X.);  Lu HX (Lu, H. X.);  Cong PP (Cong, P. P.);  Yi XY (Yi, X. Y.);  Wang GH (Wang, G. H.);  Li JM (Li, J. M.);  Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dingkai@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1401/502  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  廖凌宏;  周志文;  李成;  陈松岩;  赖虹凯;  余金中;  王启明
Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1263/349  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张曾;  张荣;  谢自力;  刘斌;  修向前;  李弋;  傅德颐;  陆海;  陈鹏;  韩平;  郑有炓;  汤晨光;  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(468Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1576/348  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄燕华;  陈松岩;  李成;  蔡加法;  余金中
Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1382/316  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  周志文;  蔡志猛;  张永;  蔡坤煌;  周笔;  林桂江;  汪建元;  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  余金中;  王启明
Adobe PDF(728Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1276/412  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张永;  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  康俊勇;  成步文;  王启明
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一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1465/167  |  提交时间：2009/06/11
一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1195/178  |  提交时间：2009/06/11
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Li, JM (Li, J. M.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1470/197  |  提交时间：2010/03/29
Micro-raman  4h-sic  Defects  3c-inclusions  Triangle-shaped Inclusion  Epitaxial Layers  Silicon-carbide