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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [9]
中科院半导体材料科学... [1]
作者
于芳 [3]
文献类型
会议论文 [10]
发表日期
2011 [1]
2006 [3]
2000 [1]
1999 [3]
1998 [2]
语种
英语 [10]
出处
1998 5TH I... [2]
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MATERIALS ... [1]
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Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 572-575, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:
阎Zhou HY (Zhou Huiying)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Jin P (Jin Peng)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Ye XL (Ye Xiaoling)
;
Liu JP (Liu Junpeng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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提交时间:2011/07/17
Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Liu, C
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Li, CJ
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Thermally Stimulated Current
Gallium Nitride
Defects
Preparation and AFM characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhou HY
;
Qu SC
;
Wang ZG
;
Liang LY
;
Cheng BC
;
Liu JP
;
Peng WQ
;
Zhou, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouhy@mail.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Anodic Alumina Films
Study on surface morphology of GaN growth by MOCVD on GaN/Si(111) template
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Liu, Z
;
Wang, JX
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Guo, LC
;
Liu, HX
;
Li, JP
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jxwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Surface Morphology
Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 72 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Wang QY
;
Nie JP
;
Yu F
;
Liu ZL
;
Yu YH
;
Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Solid Phase Epitaxy
SilicOn On Sapphire (Sos)
Carrier Mobility
Effect of rapid thermal annealing on the Raman spectrum of Si0.33Ge0.67/Si (100) alloy
会议论文
NONDESTRUCTIVE CHARACTERIZATION OF MATERIALS IX, 497, SYDNEY, AUSTRALIA, JUN 28-JUL 02, 1999
作者:
Liu JP
;
Kong MY
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Liu JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Strain-shift Coefficients
Si1-xgex
Silicon
Phonons
Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Liu JP
;
Kong MY
;
Liu XF
;
Li JP
;
Huang DD
;
Li LX
;
Sun DZ
;
Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Stranski-krastanow Growth
Quantum Dots
Relaxation
Inas
Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Liu XF
;
Liu JP
;
Li JP
;
Wang YT
;
Li LY
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Liu XF Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Layers
Improvement of CMOS SOS devices characteristics by a modified solid phase epitaxy
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Liu ZL
;
He ZJ
;
Yu F
;
Nie JP
;
Yu YH
;
Liu ZL Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Sapphire Films
Silicon
JFET SOS devices: Processing and gamma radiation effects
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Nie JP
;
Liu ZL
;
He ZJ
;
Yu F
;
Li GH
;
Nie JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Silicon