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晶片直接键合过程中实验参数的优化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵洪泉;  于丽娟;  黄永箴
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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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一种低温晶片直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵洪泉;  于丽娟;  黄永箴
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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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硅基化合物半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091403.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  于丽娟;  杜云;  赵烘泉;  黄永箴
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