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二元判定图器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴南健;  陆江;  刘肃;  邝小飞
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GaN基薄膜芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102496667A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  刘硕;  郭恩卿;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  张爽;  赵德刚;  刘文宝;  孙苋;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  王辉;  段俐宏;  杨辉
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可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:  闫方亮;  张锦川;  姚丹阳;  谭松;  王利军;  刘峰奇;  王占国
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Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  刘波亭;  马平;  郭仕宽;  甄爱功;  张烁;  吴冬雪;  王军喜;  李晋闽
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具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  张烁;  马平;  郭仕宽;  刘波亭;  李晋闽;  王军喜
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