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| 二元判定图器件 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 吴南健; 陆江; 刘肃; 邝小飞 Adobe PDF(512Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1373/148  |  提交时间:2009/06/11 |
| GaN基薄膜芯片的制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102496667A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 刘硕; 郭恩卿; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(757Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1193/190  |  提交时间:2012/09/09 |
| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉 Adobe PDF(345Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1577/174  |  提交时间:2011/08/30 |
| 可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014 发明人: 闫方亮; 张锦川; 姚丹阳; 谭松; 王利军; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(761Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1212/141  |  提交时间:2014/11/05 |
| Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22 发明人: 刘波亭; 马平; 郭仕宽; 甄爱功; 张烁; 吴冬雪; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:860/10  |  提交时间:2016/09/22 |
| 具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22 发明人: 张烁; 马平; 郭仕宽; 刘波亭; 李晋闽; 王军喜 Adobe PDF(424Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:594/6  |  提交时间:2016/09/22 |