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| 基于差分方法的MEMS器件信号检测电路 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010564525.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 韩国威; 宁瑾; 孙国胜; 赵永梅; 杨富华 Adobe PDF(387Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1221/100  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种微机械谐振器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04 发明人: 杨晋玲; 赵晖; 骆伟; 袁泉; 杨富华 Adobe PDF(1696Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:726/41  |  提交时间:2014/11/17 |
| 一种频率可切换的微机械谐振器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30 发明人: 赵晖; 杨晋玲; 杨富华 Adobe PDF(1773Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:560/41  |  提交时间:2014/10/31 |
| 频率可切换的微机械谐振器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25 发明人: 赵晖; 杨晋玲; 骆伟; 杨富华 Adobe PDF(700Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:866/97  |  提交时间:2014/11/17 |
| MEMS振荡器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-31 发明人: 赵晖; 杨晋玲; 骆伟; 杨富华 Adobe PDF(422Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:843/85  |  提交时间:2014/11/17 |
| 频率可调的MEMS谐振器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-02 发明人: 骆伟; 赵晖; 袁泉; 杨晋玲; 杨富华 Adobe PDF(907Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:799/88  |  提交时间:2014/12/25 |
| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:719/1  |  提交时间:2016/08/30 |
| 一种制备图形化多孔硅结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 发明人: 赵永梅; 杨香; 季安; 张明亮; 韩国威; 宁瑾; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(686Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:877/92  |  提交时间:2014/11/05 |
| 一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 发明人: 赵永梅; 季安; 张明亮; 杨香; 宁瑾; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(701Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:960/98  |  提交时间:2014/11/05 |
| 频率可调的MEMS滤波器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 骆伟; 袁泉; 赵晖; 杨晋玲; 杨富华 Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:806/2  |  提交时间:2016/08/30 |