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一种挡光式微机电可变光衰减器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  毛旭;  吕兴东;  魏伟伟;  杨晋玲;  杨富华
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阵列型微机电可变光衰减器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  毛旭;  吕兴东;  魏伟伟;  杨晋玲;  杨富华
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一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  毛旭;  魏伟伟;  吕兴东;  杨晋玲;  杨富华
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一种基于洛伦兹力的双向串联MEMS执行器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  杨晋玲;  吕兴东;  魏伟伟;  张金英;  杨富华
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基于SOI衬底的Ⅲ-V族纳米线平面晶体管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  洪文婷;  韩伟华;  吕奇峰;  杨富华
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基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  洪文婷;  韩伟华;  吕奇峰;  杨富华
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一种围栅无结纳米线晶体管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  马刘红;  韩伟华;  付英春;  洪文婷;  吕奇峰;  杨富华
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SOI叉指结构衬底Ⅲ-Ⅴ族材料沟道薄膜晶体管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  吕奇峰;  韩伟华;  洪文婷;  杨富华
Adobe PDF(526Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：389/0  |  提交时间：2016/09/22