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| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1640/234  |  提交时间:2011/08/31 |
| 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102185056A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 马平; 王军喜; 魏学成; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1841/367  |  提交时间:2012/09/09 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏 Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1752/266  |  提交时间:2011/08/31 |
| 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1472/236  |  提交时间:2011/08/31 |
| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1374/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种控制半导体LED外延片内应力的装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07 发明人: 张宁; 魏学成; 刘桂鹏; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:710/84  |  提交时间:2014/12/25 |
| 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25 发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(605Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:580/75  |  提交时间:2014/11/17 |
| 垂直阵列纳米柱LED的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04 发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:702/82  |  提交时间:2014/11/17 |
| 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22 发明人: 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1205/98  |  提交时间:2014/11/05 |
| 植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26 发明人: 杜成孝; 郑海洋; 魏同波; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(914Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:603/60  |  提交时间:2014/12/25 |