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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  毛陆虹;  贺传峰;  戴居丰;  陈弘达;  周毅;  陈雄斌
Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1225/330  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  戴居丰;  贺传峰;  毛陆虹;  陈弘达;  周毅;  陈雄斌
Adobe PDF(303Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1265/552  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  何杰;  王晓晖;  夏传钺
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  潘士宏;  王忠和;  黄硕;  张存洲;  周小川;  徐贵昌;  蒋健;  陈忠圭
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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  牛智川;  倪海桥;  王海莉;  贺继方;  朱岩;  李密峰;  王鹏飞;  黄社松;  熊永华
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在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1591/245  |  提交时间：2012/08/29