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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 孟钰淋
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hao, Hui-Ying; Li, Wei-Min; Zeng, Xiang-Bo; Kong, Guang-Lin; Liao, Xian-Bo; Hao, H.-Y.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郝会颖; 李伟民; 曾湘波; 孔光临; 廖显伯
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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(400Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1457/243 | 提交时间：2011/08/31 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 用于皮下药物注射的基于柔性基底的微针阵列及其制法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910083494.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 裴为华; 王宇; 郭凯; 归强; 王淑静; 朱琳; 陈弘达
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| 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 陈晓锋; 陈诺夫; 吴金良; 张秀兰; 柴春林; 俞育德
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| 生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王振华; 刘祥林; 杨少延; 杨安丽
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| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910076560.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张长沙; 王占国; 石明吉; 彭文博; 刘石勇; 肖海波; 廖显伯; 孔光临; 曾湘波
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