|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Z; Zhang R; Xie ZL; Liu B ; Xiu XQ; Li Y; Fu DY; Lu H; Chen P; Han P; Zheng YD; Tang CG; Chen YH; Wang ZG; Wang H; Jiang DS; Zhu JJ; Zhao DG; Liu ZS; Wang YT; Zhang SM; Yang H; Zhang Z Nanjing Univ Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
 Adobe PDF(197Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1499/430 | 提交时间：2010/03/08 |
| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉
Adobe PDF(345Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1471/174 | 提交时间：2011/08/30 |
| 一种半导体p-i-n结太阳能电池外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226677.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉
Adobe PDF(582Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1285/131 | 提交时间：2011/08/30 |
| GaN基光电子器件表面粗化的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237781.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉
Adobe PDF(403Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1185/161 | 提交时间：2011/08/30 |
| 一种InGaN半导体光电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263078.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉
Adobe PDF(453Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1200/178 | 提交时间：2011/08/30 |
| 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 杨辉
Adobe PDF(619Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1406/163 | 提交时间：2011/08/30 |
