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| 一种生长二氧化硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓东; 季安; 邢波; 杨富华 Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1327/194  |  提交时间:2009/06/11 |
| 相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1616/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 应用于导电桥存储器的纳米金属插塞电极阵列的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091406.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王晓峰; 张加勇; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(754Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1193/195  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种纳米尺寸金属插塞电极阵列的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091398.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王晓峰; 张加勇; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(759Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1222/193  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种复合膜片压力传感器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224110.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王晓东; 樊中朝; 季安; 邢波; 杨富华 Adobe PDF(289Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1649/210  |  提交时间:2011/08/31 |