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| 一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人: 闫发旺; 高海永; 张 扬; 张会肖; 李晋闽; 曾一平; 王国宏
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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高永海; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun LL; Yan FW; Zhang HX; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: lilisuny@sohu.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zhang HX; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Sun LL Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lilisun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun LL; Yan FW; Zhang HX; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Sun LL Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lilisun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jiang XW (Jiang Xiang-Wei); Deng HX (Deng Hui-Xiong); Li SS (Li Shu-Shen); Luo JW (Luo Jun-Wei); Wang LW (Wang Lin-Wang); Jiang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwjiang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zhang HX; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Sun LL Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lilisun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ding K ; Zeng YP; Duan RF; Wei XC; Wang JX; Ma P; Lu HX; Cong PP; Li JM; Ding K Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dingkai@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun LL; Yan FW; Zhang HX; Wang JX; Wang GH; Zeng YP; Li JM; Sun LL Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Qinghua E Rd A35 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lilisun@semi.ac.cn
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