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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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采用损耗微调波导实现阵列波导光栅通道均匀性的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李建光;  王红杰;  吴远大;  胡雄伟
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具有大绝对带隙的二维光子晶体 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  龚春娟;  胡雄伟
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3dB耦合波导实现阵列波导光栅输出平坦化的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李建光;  王红杰;  吴远大;  胡雄伟
Adobe PDF(320Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1091/181  |  提交时间:2009/06/11
正方晶格二维光子晶体 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  龚春娟;  胡雄伟
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n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  梁平;  孙红;  胡颖;  王晓东
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一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  王军喜;  王翠梅;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XS (Xu XingSheng);  Wang CX (Wang ChunXia);  Song QA (Song Qian);  Du W (Du Wei);  Hu H (Hu HaiYang);  Zhao ZM (Zhao ZhiMin);  Lu L (Lu Lin);  Kan Q (Kan Qiang);  Chen H (Chen HongDa);  Xu, XS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xsxu@red.semi.ac.cn
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AlN薄膜的生长及其物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  胡卫国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang CX (Wang Chun-Xia);  Xu XS (Xu Xing-Sheng);  Xiong GG (Xiong Gui-Guang);  Hu HY (Hu Hai-Yang);  Song Q (Song Qian);  Du W (Du Wei);  Chen HD (Chen Hong-Da);  Wang, CX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cxwang@red.semi.ac.cn
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