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| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1545/233  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用损耗微调波导实现阵列波导光栅通道均匀性的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 安俊明; 李建光; 王红杰; 吴远大; 胡雄伟 Adobe PDF(273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1135/132  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有大绝对带隙的二维光子晶体 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 龚春娟; 胡雄伟 Adobe PDF(366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:876/114  |  提交时间:2009/06/11 |
| 3dB耦合波导实现阵列波导光栅输出平坦化的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 安俊明; 李建光; 王红杰; 吴远大; 胡雄伟 Adobe PDF(320Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1112/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 正方晶格二维光子晶体 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 龚春娟; 胡雄伟 Adobe PDF(373Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:859/140  |  提交时间:2009/06/11 |
| n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东 Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1323/237  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平 Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1386/197  |  提交时间:2009/06/11 |