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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [12]
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专利 [1]
发表日期
2001 [12]
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发表日期:2001
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作者升序
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期刊影响因子降序
一种高温碳化硅半导体材料制造装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李晋闽
;
孙国胜
;
朱世荣
;
曾一平
;
孙殿照
;
王雷
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提交时间:2009/06/11
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
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浏览/下载:1845/419
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提交时间:2010/11/15
Annealing
Molecular Beam Epitaxy
Germanium Silicon Alloys
Semiconducting Materials
Strain Relaxation
High-quality GaN grown by gas-source MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Wang JX
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hou X
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1820/464
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提交时间:2010/11/15
Characterization
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Compounds
Nitrides
Piezoelectric Materials
Semiconducting Gallium Compounds
Molecular-beam Epitaxy
Heterostructures
Sapphire
Diodes
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Impurities
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Semiconducting Iii-v Materials
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Defects
Heterostructure
Semiconductors
Stress
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao F
;
Huang DD
;
Li JP
;
Kong MY
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Gao F,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F,Chinese Acad Sci,Ctr Mat Sci,Inst Semicond,Beijing 10083,Peoples R China.
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浏览/下载:1204/300
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:928/264
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang JX
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hou X
;
Lin LY
;
Wang JX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:956/276
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao F
;
Huang CJ
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1303/305
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
胡国新
;
孙殿照
;
王晓亮
;
刘宏新
;
刘成海
;
曾一平
;
李晋闽
;
林兰英
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提交时间:2010/11/23