一种高温碳化硅半导体材料制造装置
李晋闽; 孙国胜; 朱世荣; 曾一平; 孙殿照; 王雷
2001-12-19
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2000-06-07
语种中文
申请号CN00109107.7
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3047
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
李晋闽,孙国胜,朱世荣,等. 一种高温碳化硅半导体材料制造装置[P]. 2001-12-19.
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