|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中
 Adobe PDF(295Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1217/204 | 提交时间：2009/06/11 |
| 利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中
Adobe PDF(366Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1353/231 | 提交时间：2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou B; Pan SW; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu JZ; Zhu XF; Chen SY Xiamen Univ Dept Phys Semicond Photon Res Ctr Xiamen 361005 Fujain Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn
Adobe PDF(246Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1189/347 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou B; Pan SW; Chen R; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu; JZ; Zhu XF; Chen, SY, Xiamen Univ, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn
Adobe PDF(2030Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1176/278 | 提交时间：2010/04/04 |
| Si based quantum cascade structure: from energy band structures design to materials growth 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, JUN 09-14, 2008
作者: Yu, JZ; Han, GQ; Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(458Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1746/311 | 提交时间：2010/03/09 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周亮; 余金中
Adobe PDF(489Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1366/625 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明
Adobe PDF(357Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1263/349 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen Bei; Chen Fangxiong; Ma Heping; Shi Yin; Dai F F
Adobe PDF(566Kb) | 收藏 | 浏览/下载：879/249 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Xuelian; Yan Jun; Shi Yin; Dai Fa Foster
Adobe PDF(1251Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1479/449 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma Heping; Yuan Fang ; Shi Yin; Dai F F
Adobe PDF(1117Kb) | 收藏 | 浏览/下载：969/301 | 提交时间：2010/11/23 |
