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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [2]
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会议论文 [2]
发表日期
2009 [1]
1998 [1]
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英语 [2]
出处
PHYSICA E,... [1]
SILICON CA... [1]
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CPCI-S [2]
资助机构
Japan Soc ... [1]
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In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
In-situ Doping
Boron
Aluminum
Memory Effects
Hot-wall Lpcvd
4h-sic
Resonant magnetopolaron effects in GaAs/AlGaAs multiple quantum well structures
会议论文
PHYSICA E, 2 (1-4), SANTA BARBARA, CALIFORNIA, JUL 14-18, 1997
作者:
Wang YJ
;
Nickel HA
;
McCombe BD
;
Peeters FM
;
Shi JM
;
Hai GQ
;
Wu XG
;
Eustis TJ
;
Schaff W
;
Wang YJ Florida State Univ Natl High Magenet Field Lab 1800 E Paul Dirac Dr Tallahassee FL 32306 USA.
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浏览/下载:1537/186
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提交时间:2010/11/15
Resonant Magnetopolaron Effects
Gaas/algaas Quantum Well Structures
Interface Phonons
Electron-optical-phonon Interaction
Polaron-cyclotron-resonance
Phonon Modes
Gaas
Heterostructures
Superlattices
Electrons