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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
原位非接触探测MOCVD石墨温度分布的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘祥林
;
赵凤瑷
;
焦春美
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao H
;
Xu YQ
;
Ni HQ
;
Zhang SY
;
Han Q
;
Du Y
;
Yang XH
;
Wu RH
;
Niu ZC
;
Zhao, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlatt & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaohuan@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1296/288
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui CX
;
Chen YH
;
Jin P
;
Xu B
;
Ren YY
;
Zhao C
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:948/261
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提交时间:2010/04/11
长波长InAs/GaAs 量子点的MOCVD 生长及激光器制作
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:
梁松
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浏览/下载:832/38
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提交时间:2009/04/13
纳米半导体技术
专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者:
王占国
;
陈涌海
;
叶小玲
JPEG(7Kb)
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浏览/下载:4430/1018
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提交时间:2009/09/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Ren YY (Ren Y. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Jiao, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1130/314
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li HP (Li Jianping)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Wang W (Wang W.)
;
Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liangsong@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1071/244
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li DY (Li Deyao)
;
Zhang SM (Zhang Shuming)
;
Wang JF (Wang Jianfeng)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Chen LH (Chen Lianghui)
;
Chong M (Chong Ming)
;
Zhu JJ (Zhu Jianjun)
;
Zhao DG (Zhao Degang)
;
Liu ZS (Liu Zongshun)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Liang JW (Liang Junwu)
;
Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
MOCVD ZnO 外延材料制备及性能研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:
沈文娟
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提交时间:2009/04/13