×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
金鹏 [2]
叶小玲 [1]
徐波 [1]
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2006 [2]
2005 [1]
1999 [1]
语种
英语 [4]
出处
2005 IEEE ... [1]
Internatio... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
资助项目
收录类别
其他 [2]
CPCI-S [1]
CPCI(ISTP) [1]
资助机构
IEEE Elect... [1]
Natl Nat S... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
文献类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Lei W
;
Chen YH
;
Jin P
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Huang XQ
;
Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(340Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1545/261
  |  
提交时间:2010/03/29
Lateral Intersubband Photocurrent
Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots
会议论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 01-05, 2005
作者:
Wang FZ
;
Chen ZH
;
Sun J
;
Bai LH
;
Huang SH
;
Xiong H
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Shen SC
;
Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
Adobe PDF(269Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1827/293
  |  
提交时间:2010/03/29
Quantum Dots
A standard CMOS compatible monolithic photo-detector and trans-impedance amplifier
会议论文
2005 IEEE CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS丛书标题: IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, Kowloon, PEOPLES R CHINA, DEC 19-21, 2005
作者:
Chen HD (Chen Hongda)
;
Gu M (Gu Ming)
;
Huang JL (Huang Jiale)
;
Gao P (Gao Peng)
;
Mao LH (Mao Luhong)
;
Chen, HD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1988Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1387/208
  |  
提交时间:2010/03/29
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
;
Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
Adobe PDF(208Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1618/311
  |  
提交时间:2010/11/15
Threading Dislocation
Si(100)
Layers
Films