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| 一种互补式金属氧化层半导体磁传感器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周盛华; 吴南健; 杨志超 Adobe PDF(331Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1155/163  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周盛华; 吴南健 Adobe PDF(371Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1040/149  |  提交时间:2009/06/11 |
| 步进时隙脉冲检测防冲突方法及其电路 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨志超; 周盛华; 吴南健; 李美云 Adobe PDF(543Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1153/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 杨少延; 刘志凯; 柴春林 Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1447/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周剑平; 陈诺夫; 张富强; 刘志凯; 杨少延; 柴春林 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1345/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 低功耗全差分双模前置分频器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910076852.8, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 颜小舟; 邝小飞; 吴南健 Adobe PDF(432Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1548/204  |  提交时间:2011/08/30 |
| 基于分数分频频率综合器的多标准I/Q正交载波产生装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102122955A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-07-13, 2012-08-29 发明人: 楼文峰; 吴南健; 颜小舟; 耿志卿 Adobe PDF(774Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1464/230  |  提交时间:2012/08/29 |
| 一种非对称的高速低功耗收发装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010256836.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-02-09, 2011-08-30 发明人: 章琦; 颜小舟; 冯鹏; 耿志清; 吴南健 Adobe PDF(702Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1277/132  |  提交时间:2011/08/30 |
| CMOS图像传感器全局曝光像素单元 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102447848A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-05-09, 2012-08-29 发明人: 周杨帆; 吴南健; 曹中祥; 李全良; 秦琦 Adobe PDF(760Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1630/254  |  提交时间:2012/08/29 |
| 一种射频收发装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910242352.7, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 耿志卿; 吴南健; 颜小舟; 章琪; 李国锋; 楼文峰 Adobe PDF(648Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1419/170  |  提交时间:2011/08/30 |