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硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  杨涛;  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  季祥海;  王占国
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同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  周文飞;  徐波;  叶小玲;  张世著;  王占国
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直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  杨涛;  王占国
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制备低密度、长波长InAs/GaAs 量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人:  张世著;  叶小玲;  徐波;  王占国
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硅衬底上生长纳米线的衬底处理方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-14
发明人:  杨涛;  王小耶
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一种微区荧光扫描测量系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  秦旭东;  张宏毅;  叶小玲;  陈涌海
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